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華為5G芯片都靠它?是依靠在香港服務器154.223.68.1做節點臺積電7nn EUV 工藝正式商用

發布時間:2019-10-12

香港服務器154.223.68.1國際帶寬線路臺積電在近日宣布,這家承擔了相當多芯片制造工作的半導體工廠,成了業界首個可將N7+工藝商用的代工廠。首批采用臺積電N7+工藝制造的芯片,也將從近日開始向客戶交付。

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臺積電7nm EUV正式商用
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N7+工藝便是采用EUV(極紫外光刻)的7nm制造工藝,根據臺積電的說法,7nm EUV相比此前的7nm(N7)工藝,把晶體管密度提升了15%~20%,同時也順利降低了芯片功耗。
臺積電表示,7nm EUV也是有史以來量產最快的芯片制造工藝,香港服務器154.223.68.1國際帶寬線路在今年第二季度開始量產的時候,產能就已經達到量產了一年多的7nm工藝的水平。相比至今沒有傳出代工芯片量產消息的三星7nm EUV,臺積電這次走在了前面。

臺積電還小小地展望了計劃于2020年第一季度開始試產、年底前量產的6nm工藝,同樣使用了EUV的臺積電6nm工藝在設計上完全兼容當前的7nm EUV,有望讓7nm EUV芯片的改進產品更快速地推向市場。

突破制造極限,EUV不僅僅是后綴那么簡單
正如此前展望5nm工藝時所說的那樣,集成電路的密度隨著制程工藝的改進而提升。無論是哪家廠商設計應用于哪種設備,芯片工藝改進都在讓設備進步,其中關鍵的指標便是晶體管之間的間隙。

從安卓手機進入大眾視野時的60nm,到4G手機開始普及時的28nm,再到現在高端手機上普及的7nm,智能手機提供的表現越發強大,我們一直在見證著芯片工藝提升帶來的性能和續航革命。

5G和AI應用是當前的熱門話題,為了讓這些新技術更好地在手機上服務用戶,更應該讓重要的硬件芯片,借助工藝提升得到新能力。芯片設計廠商,以及臺積電、三星這樣的制造工廠也是這樣想的,然而他們發現了一個事實:工藝提升已經遭遇瓶頸。
半導體硅是最常見的芯片制造原料,工廠將冶煉切割后的硅晶圓放置于光刻機中,然后用光透過印有電路設計圖的掩膜進行蝕刻,最后打磨切割封裝就得到了芯片。芯片制造多年來慣用控制光波長來提升制程,這個方法到了nm級別卻開始失靈。
以5nm為例,傳統DUV(深紫外光刻)技術下蝕刻出的極低晶體管間隙導致了難以控制的漏電問題,使得芯片性能損失比起進步來說得不償失。經過多種嘗試,依舊沒法有效解決遭遇的工程難題,工藝提升的步伐似乎要就此停下來。

這個時候廠商們找到了從80年代起就提上議程的EUV(極紫外光刻),相比現在廣泛使用的DUV,波長僅為13.5nm的EUV更能幫助工藝提升。臺積電、三星、英特爾等多家芯片制造廠共同投資數十億美元后,ASML公司帶來了首個能投入商用的EUV光刻機。

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